STMicroelectronics STD9HN65M2
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STD9HN65M2
2381-STD9HN65M2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK
1最小包装量--
STD9HN65M2详情
STMicroelectronics STD9HN65M2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
安装类型
表面贴装
底架
表面贴装
供应商器件包装
DPAK
Power Dissipation (Max)
60W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5.5A Tc
系列
MDmesh™ M2
包装
Cut Tape (CT)
操作温度
150°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
基本部件号
STD9H
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
820mOhm @ 2.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
325pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11.5nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs(最大值)
±25V
连续放电电流(ID)
5.5A
输入电容
325pF
最大rds
820 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
STD9HN65M2拓展信息
STMicroelectronics
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