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首页 全部分类 IPD65R225C7ATMA1 vs IPD65R420CFDATMA1

IPD65R225C7ATMA1备选型号: IPD65R420CFDATMA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • Infineon Technologies
    IPD65R225C7ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    SILICON
    11A Tc
    2013
    CoolMOS™ C7
    Cut Tape (CT)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    9 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    225m Ω @ 4.8A, 10V
    4V @ 240μA
    无卤素
    996pF @ 400V
    20nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    10 ns
    11A
    20V
    650V
    0.225Ohm
    48 mJ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R420CFDATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 8.7A 3-Pin TO-252 T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    3
    -
    8.7A Tc
    2008
    CoolMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    83.3W
    -
    10 ns
    N-Channel
    -
    420mOhm @ 3.4A, 10V
    4.5V @ 300μA
    -
    870pF @ 100V
    31.5nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    8 ns
    8.7A
    20V
    650V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PG-TO252-3
    150°C
    -55°C
    650V
    870pF
    420 mΩ
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