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首页 全部分类 IPD70P04P4L08ATMA1 vs IRFR7740TRPBF

IPD70P04P4L08ATMA1备选型号: IRFR7740TRPBF

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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 通道数量
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPD70P04P4L08ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    70A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2010
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    P-Channel
    7.8m Ω @ 70A, 10V
    2.2V @ 120μA
    无卤素
    5430pF @ 25V
    92nC @ 10V
    10ns
    40V
    ±16V
    41 ns
    70A
    16V
    -40V
    0.0078Ohm
    280A
    24 mJ
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFR7740TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    87A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    7.2m Ω @ 52A, 10V
    3.7V @ 100μA
    -
    4430pF @ 25V
    126nC @ 10V
    36ns
    75V
    ±20V
    30 ns
    87A
    20V
    -
    0.0072Ohm
    -
    242 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3.949996g
    1
    SWITCHING
    3.7V
    TO-252AA
    75V
    无SVHC
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