IPD70P04P4L08ATMA1备选型号: NTD80N02T4
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 引脚数量
- 资历状况
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- Trans MOSFET P-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-25226 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™2010e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN12 nsP-Channel7.8m Ω @ 70A, 10V2.2V @ 120μA无卤素5430pF @ 25V92nC @ 10V10ns40V±16V41 ns70A16V-40V0.0078Ohm280A24 mJ2.41mm6.73mm6.22mmROHS3 Compliant含铅---------
- MOSFET N-CH 24V 80A DPAK-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-634SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2008e0Obsolete1 (Unlimited)2-Tin/Lead (Sn80Pb20)鸥翼240not_compliant30R-PSSO-G2Single增强型MOSFETDRAIN-N-Channel5.8m Ω @ 80A, 10V3V @ 250μA-2600pF @ 20V42nC @ 4.5V67ns-±20V40 ns80A20V-0.0058Ohm200A733 mJ---Non-RoHS Compliant无铅OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)yes24V80A4不合格75WSWITCHING24V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR7740TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 75V 87A D2PAK | 对比 |
| NTD80N02T4 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | 对比 | |
![]() | IPD85P04P4L06ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET P-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |




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