您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPD70R2K0CEAUMA1 vs IPD50R1K4CEAUMA1

IPD70R2K0CEAUMA1备选型号: IPD50R1K4CEAUMA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Infineon Technologies
    IPD70R2K0CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    4A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    CoolMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2 Ω @ 1A, 10V
    3.5V @ 70μA
    无卤素
    163pF @ 100V
    7.8nC @ 10V
    ±20V
    4A
    700V
    2Ohm
    6.3A
    11 mJ
    超级交界处
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD50R1K4CEAUMA1
    Infineon Technologies
    On a Reel of 2500, N-Channel MOSFET, 3.1 A, 550 V, 3-Pin DPAK Infineon IPD50R1K4CEBTMA1
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3.1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    CoolMOS™ CE
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    not_compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    1.4 Ω @ 900mA, 13V
    3.5V @ 70μA
    -
    178pF @ 100V
    8.2nC @ 10V
    ±20V
    3.1A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    yes
    EAR99
    Single
    25W
    6.5 ns
    6ns
    500V
    30 ns
    30V
    550V
    2.41mm
    6.73mm
    6.22mm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IPD60R1K5CEATMA1 IPD60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-Ch 600V 3.1A DPAK-2 对比
IPD60R1K4C6ATMA1 IPD60R1K4C6ATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2 Tab) TO-252 对比