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首页 全部分类 IPD70R600CEAUMA1 vs NDD60N550U1T4G

IPD70R600CEAUMA1备选型号: NDD60N550U1T4G

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  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
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  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    IPD70R600CEAUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH TO252-3
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    PG-TO252-3
    10.5A Tc
    3.5V @ 0.21mA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -40°C
    N-Channel
    600mOhm @ 1A, 10V
    无卤素
    474pF @ 100V
    22nC @ 10V
    700V
    ±20V
    10.5A
    700V
    474pF
    超级交界处
    540mOhm
    600 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NDD60N550U1T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET NFET DPAK 600V 8.2A 550MO
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    94W Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    -
    -
    N-Channel
    550m Ω @ 4A, 10V
    -
    540pF @ 50V
    18nC @ 10V
    600V
    ±25V
    8.2A
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    Single
    8.5A
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