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价格梯度

内地含税价

1

￥7.437977
10

￥7.01696
100

￥6.619774
500

￥6.245069
1000

￥5.891574

Infineon Technologies IPD70R600CEAUMA1

Name: IPD70R600CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-IPD70R600CEAUMA1
Price: 7.44 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IPD70R600CEAUMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-IPD70R600CEAUMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH TO252-3

起订量

--最小包装量--

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IPD70R600CEAUMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO252-3

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IPD70R600CEAUMA1详情

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Infineon Technologies IPD70R600CEAUMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

18 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

PG-TO252-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Power Dissipation (Max)

86W Tc
操作温度

-40°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

CoolMOS™
已出版

2013
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-40°C
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

600mOhm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 0.21mA
无卤素

无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

474pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)

700V
Vgs（最大值）

±20V
连续放电电流(ID)

10.5A
最大双电源电压

700V
输入电容

474pF
场效应管特性

超级交界处
漏源电阻

540mOhm
最大rds

600 mΩ
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

含铅

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IPD70R600CEAUMA1拓展信息

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