IPD80R1K0CEATMA1备选型号: STD11N65M2

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  • 工厂交货时间
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  • 供应商器件包装
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  • 包装
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  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • Infineon Technologies
    N-Channel 800 V 0.95 O 31 nC CoolMOS CE Power Transistor - DPAK
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    PG-TO252-3
    3.949996g
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ CE
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    1
    Single
    83W
    25 ns
    N-Channel
    950mOhm @ 3.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    31nC @ 10V
    15ns
    800V
    ±20V
    8 ns
    5.7A
    3V
    20V
    800V
    800V
    785pF
    800mOhm
    950 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STD11N65M2 Power MOSFET, N Channel, 7 A, 650 V, 0.6 ohm, 10 V, 3 V
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    3.949996g
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    9.5 ns
    N-Channel
    670m Ω @ 3.5A, 10V
    4V @ 250μA
    410pF @ 100V
    12.5nC @ 10V
    7.5ns
    650V
    ±25V
    15 ns
    7A
    3V
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD11
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