IPD80R1K0CEBTMA1备选型号: FCD850N80Z
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 通道数量
- 漏源击穿电压
- MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6333.949996gSILICON5.7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™2008e3yesDiscontinued1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)鸥翼未说明not_compliant未说明R-PSSO-G2Single增强型MOSFET83W25 nsN-ChannelSWITCHING950m Ω @ 3.6A, 10V3.9V @ 250μA785pF @ 100V31nC @ 10V15ns±20V8 ns5.7A20V800V0.95OhmROHS3 Compliant无铅----
- MOSFET N-CH 800V 6A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63-260.37mg-6A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET® II-e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-245not_compliant未说明-Single--16 nsN-Channel-850m Ω @ 3A, 10V4.5V @ 600μA1315pF @ 100V29nC @ 10V10ns±20V4.5 ns6A20V--ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)13 Weeks1800V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPD06N80C3ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 800(Min)V 6A 3-Pin TO-252 T/R | 对比 |
![]() | FCD850N80Z | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | 对比 |




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