IPD80R1K0CEBTMA1备选型号: FCD850N80Z

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  • 底架
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  • 包装/外壳
  • 引脚数
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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 通道数量
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 800V 5.7A DPAK-2
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    3.949996g
    SILICON
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™
    2008
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    83W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 3.6A, 10V
    3.9V @ 250μA
    785pF @ 100V
    31nC @ 10V
    15ns
    ±20V
    8 ns
    5.7A
    20V
    800V
    0.95Ohm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 800V 6A DPAK
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    260.37mg
    -
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperFET® II
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    245
    not_compliant
    未说明
    -
    Single
    -
    -
    16 ns
    N-Channel
    -
    850m Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 600μA
    1315pF @ 100V
    29nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    4.5 ns
    6A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    13 Weeks
    1
    800V
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