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首页 全部分类 IPD90N04S4L04ATMA1 vs IPD038N04NGBTMA1

IPD90N04S4L04ATMA1备选型号: IPD038N04NGBTMA1

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  • 包装
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  • 零件状态
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  • 终止次数
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPD90N04S4L04ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    90A Tc
    2.2V @ 35μA
    -55°C~175°C TJ
    2010
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    3.8m Ω @ 90A, 10V
    无卤素
    4690pF @ 25V
    60nC @ 10V
    11ns
    +20V, -16V
    28 ns
    90A
    20V
    40V
    95 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD038N04NGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 40V 90A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    90A Tc
    4V @ 45μA
    -55°C~175°C TJ
    2011
    OptiMOS™
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    哑光锡
    SINGLE
    鸥翼
    260
    40
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    3.8m Ω @ 90A, 10V
    -
    4500pF @ 20V
    56nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    90A
    20V
    -
    55 mJ
    符合RoHS标准
    unknown
    -
    yes
    不合格
    94W
    SWITCHING
    40V
    TO-252AA
    0.0038Ohm
    400A
    40V
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