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首页 全部分类 IPD90P04P405ATMA1 vs NTD110N02R

IPD90P04P405ATMA1备选型号: NTD110N02R

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  • 终端形式
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  • Vgs（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPD90P04P405ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
    26 Weeks
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    4V @ 250μA
    7 ns
    2010
    OptiMOS™
    Cut Tape (CT)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    P-Channel
    4.7m Ω @ 90A, 10V
    无卤素
    10300pF @ 25V
    154nC @ 10V
    8ns
    40V
    ±20V
    14 ns
    90A
    20V
    -40V
    0.0047Ohm
    60 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD110N02R
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    2V @ 250μA
    12.5A Ta 110A Tc
    2009
    -
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    鸥翼
    235
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    4.6m Ω @ 20A, 10V
    -
    3440pF @ 20V
    28nC @ 4.5V
    39ns
    -
    ±20V
    21 ns
    110A
    20V
    -
    0.0062Ohm
    120 mJ
    Non-RoHS Compliant
    not_compliant
    含铅
    8541.29.00.95
    24V
    110A
    不合格
    Single
    2.88W
    SWITCHING
    12.5A
    24V
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