您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPG20N06S2L65AATMA1 vs IRLR024NTRPBF

IPG20N06S2L65AATMA1备选型号: IRLR024NTRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S2L65AATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 55V 20A 8-Pin TDSON T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    PG-TDSON-8-10
    20A
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    43W
    43W
    2 ns
    43W
    2 N-Channel (Dual)
    65mOhm @ 15A, 10V
    2V @ 14μA
    无卤素
    410pF @ 25V
    12nC @ 10V
    3ns
    55V
    7 ns
    20A
    20V
    55V
    410pF
    逻辑电平门
    53mOhm
    65 mΩ
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR024NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    17A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    45W
    7.1 ns
    -
    N-Channel
    65m Ω @ 10A, 10V
    -
    -
    480pF @ 25V
    15nC @ 5V
    74ns
    -
    29 ns
    17A
    16V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    Tin
    SILICON
    2V @ 250μA
    e3
    2
    SMD/SMT
    EAR99
    80mOhm
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
    55V
    鸥翼
    260
    17A
    30
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±16V
    2V
    TO-252AA
    55V
    72A
    55V
    68 mJ
    90 ns
    175°C
    2 V
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 55V 17A DPAK 对比