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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.812869
10
¥4.540443
100
¥4.283437
500
¥4.040978
1000
¥3.812243
Infineon Technologies IPG20N06S2L65AATMA1
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- 对比
IPG20N06S2L65AATMA1
1211-IPG20N06S2L65AATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-PowerVDFN
大陆
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Trans MOSFET N-CH 55V 20A 8-Pin TDSON T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPG20N06S2L65AATMA1详情
Infineon Technologies IPG20N06S2L65AATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
Surface Mount, Wettable Flank
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
供应商器件包装
PG-TDSON-8-10
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
43W
功率耗散
43W
接通延迟时间
2 ns
功率 - 最大
43W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
65mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
410pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
12nC @ 10V
上升时间
3ns
漏源电压 (Vdss)
55V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
20A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
55V
输入电容
410pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
53mOhm
最大rds
65 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPG20N06S2L65AATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
Infineon Technologies
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