您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPG20N06S3L-35 vs IPG15N06S3L-45

IPG20N06S3L-35备选型号: IPG15N06S3L-45

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPG20N06S3L-35
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    30W
    FLAT
    260
    40
    *PG20N06
    8
    R-PDSO-F6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    30W
    2 N-Channel (Dual)
    35m Ω @ 11A, 10V
    2.2V @ 15μA
    1730pF @ 25V
    23nC @ 10V
    55V
    20A
    0.035Ohm
    55V
    55 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPG15N06S3L-45
    Infineon Technologies
    MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2008
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    21W
    FLAT
    260
    40
    -
    8
    R-PDSO-F6
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    21W
    2 N-Channel (Dual)
    45m Ω @ 10A, 10V
    2.2V @ 10μA
    1420pF @ 25V
    20nC @ 10V
    55V
    15A
    0.045Ohm
    55V
    47 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    17A
    60A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STD20NF06T4 STD20NF06T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比
HUFA75321D3ST HUFA75321D3ST ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET 20a 55V N-Channel UltraFET 对比
IPG15N06S3L-45 IPG15N06S3L-45 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-PowerVDFN MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8 对比