Infineon Technologies IPG20N06S3L-35

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

30W

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

*PG20N06

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-F6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

30W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

35m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 15μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1730pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

23nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

连续放电电流(ID)

20A

漏极-源极导通最大电阻

0.035Ohm

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

55 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准