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首页 全部分类 IPG20N10S436AATMA1 vs IRF6645TRPBF

IPG20N10S436AATMA1备选型号: IRF6645TRPBF

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • JESD-609代码
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  • 电压 - 额定直流
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  • 额定电流
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  • 晶体管应用
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPG20N10S436AATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 20A 8-Pin TDSON T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    Surface Mount, Wettable Flank
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    43W
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3 ns
    43W
    2 N-Channel (Dual)
    36m Ω @ 17A, 10V
    3.5V @ 16μA
    无卤素
    990pF @ 25V
    15nC @ 10V
    1ns
    20A
    20V
    100V
    0.036Ohm
    60 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF6645TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric SJ
    7
    SILICON
    5.7A Ta 25A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    -
    R-XBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    9.2 ns
    -
    N-Channel
    35m Ω @ 5.7A, 10V
    -
    -
    890pF @ 25V
    20nC @ 10V
    5ns
    5.7mA
    20V
    -
    0.035Ohm
    29 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    4.9V @ 50μA
    e1
    EAR99
    100V
    BOTTOM
    5.7A
    42W
    SWITCHING
    ±20V
    5.1 ns
    100V
    45A
    410μm
    3.95mm
    3.95mm
    无
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