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IPI120N08S404AKSA1备选型号: IPI90N06S4L04AKSA2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
Trans MOSFET N-CH 80V 120A Automotive14 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON4V @ 120μA120A Tc2013-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel4.4m Ω @ 100A, 10V无卤素6450pF @ 25V95nC @ 10V±20V120A80V0.0044Ohm480A310 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅-- MOSFET N-CH 60V 80A TO262-316 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON2.2V @ 90μA90A Tc2009-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明未说明-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel3.7m Ω @ 90A, 10V无卤素13000pF @ 25V170nC @ 10V±16V90A60V---not_compliantROHS3 Compliant-3
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI90N06S4L04AKSA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3 | 对比 |
 | STI150N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 对比 |
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