IPI90N06S4L04AKSA2
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Infineon Technologies IPI90N06S4L04AKSA2

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型号

IPI90N06S4L04AKSA2

utmel 编号

1211-IPI90N06S4L04AKSA2

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

起订量

1最小包装量--

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IPI90N06S4L04AKSA2
IPI90N06S4L04AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3

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IPI90N06S4L04AKSA2详情

Infineon Technologies IPI90N06S4L04AKSA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    90A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V 10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    150W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    OptiMOS™

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.7m Ω @ 90A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V @ 90μA

  • 无卤素

    无卤素

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    13000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    170nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±16V

  • 连续放电电流(ID)

    90A

  • 最大双电源电压

    60V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

右边的3个型号有着和Infineon Technologies & IPI90N06S4L04AKSA2相似的参数规格。

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IPI90N06S4L04AKSA2拓展信息

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