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IPI65R280E6XKSA1备选型号: IPI65R310CFDXKSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- 已出版
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 宽度
- 高度
- 长度
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 端子位置
- JESD-30代码
- 配置
- 下降时间（典型值）
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-312 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084002gSILICON76 ns3.5V @ 440μACoolMOS™ E62008-55°C~150°C TJTubee3yesDiscontinued1 (Unlimited)3Tin (Sn)未说明未说明1Single增强型MOSFETDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING280m Ω @ 4.4A, 10V无卤素950pF @ 100V45nC @ 10V9ns±20V13.8A20V650V0.28Ohm700V290 mJ4.52mm9.45mm10.36mmROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-SILICON11.4A Tc4.5V @ 440μACoolMOS™2008-55°C~150°C TJTube-yesObsolete1 (Unlimited)3-未说明未说明--增强型MOSFET-11 nsN-ChannelSWITCHING310m Ω @ 4.4A, 10V无卤素1100pF @ 100V41nC @ 10V7.5ns±20V11.4A20V650V--290 mJ---符合RoHS标准无铅EAR99SINGLER-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE7 ns34.4A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STI18N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK | 对比 |
| SPI15N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 | 对比 |
| IPI65R310CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO262 | 对比 |
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