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IPI65R310CFDXKSA1备选型号: IPI60R299CPXKSA1
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- 晶体管元件材料
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- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET N-CH 650V 11.4A TO26216 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON11.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99SINGLE未说明未说明3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET11 nsN-ChannelSWITCHING310m Ω @ 4.4A, 10V4.5V @ 440μA无卤素1100pF @ 100V41nC @ 10V7.5ns±20V7 ns11.4A20V650V34.4A290 mJ符合RoHS标准无铅---------- MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK--通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON11A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™2008yesObsolete1 (Unlimited)3-SINGLE未说明未说明3R-PSIP-T3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING299m Ω @ 6.6A, 10V3.5V @ 440μA-1100pF @ 100V29nC @ 10V-±20V----34A290 mJ符合RoHS标准-NOe3Tin (Sn)compliant不合格600V11A0.299Ohm600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 | 对比 |
| IPI60R299CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK | 对比 |
| IPI50R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
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