IPI70N10SL16AKSA1备选型号: IPI147N12N3GAKSA1
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- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
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- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 上升时间
- Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-262TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔通孔3SILICON70A Tc2006SIPMOS®Tube-55°C~175°C TJ最后一次购买1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET70 nsN-Channel16m Ω @ 50A, 10V2V @ 2mA无卤素4540pF @ 25V240nC @ 10V±20V95 ns70A20V100V0.025Ohm280A700 mJROHS3 Compliant含铅-----------
- Trans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3 Tab) TO-262TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔通孔-SILICON56A Ta2008OptiMOS™Tube-55°C~175°C TJ不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99-SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET16 nsN-Channel14.7m Ω @ 56A, 10V4V @ 61μA无卤素3220pF @ 60V49nC @ 10V±20V4 ns56A20V120V-224A90 mJROHS3 Compliant含铅12 Weekse3noTin (Sn)not_compliant3R-PSIP-T3不合格107WSWITCHING9ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
![]() | IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 | 对比 |
![]() | STB60NF10-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A | 对比 |





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