Infineon Technologies IPI70N10SL16AKSA1
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IPI70N10SL16AKSA1
1211-IPI70N10SL16AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-262
1最小包装量--
IPI70N10SL16AKSA1详情
Infineon Technologies IPI70N10SL16AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Turn Off Delay Time
250 ns
Power Dissipation (Max)
250W Tc
Number of Elements
1
已出版
2006
系列
SIPMOS®
包装
Tube
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
最后一次购买
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
附加功能
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
70 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
16m Ω @ 50A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 2mA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4540pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
240nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
95 ns
连续放电电流(ID)
70A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏极-源极导通最大电阻
0.025Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
雪崩能量等级(Eas)
700 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IPI70N10SL16AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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