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IPI70N10SL16AKSA1备选型号: IPI50N10S3L16AKSA1
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- 晶体管元件材料
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- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 参考标准
- 上升时间
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-262TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔通孔3SILICON70A Tc2006SIPMOS®Tube-55°C~175°C TJ最后一次购买1 (Unlimited)3EAR99AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLESINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET70 nsN-Channel16m Ω @ 50A, 10V2V @ 2mA无卤素4540pF @ 25V240nC @ 10V±20V95 ns70A20V100V0.025Ohm280A700 mJROHS3 Compliant含铅------- MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA通孔通孔3SILICON50A Tc2008OptiMOS™Tube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)3EAR99-SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET10 nsN-Channel15.7m Ω @ 50A, 10V2.4V @ 60μA无卤素4180pF @ 25V64nC @ 10V±20V-50A20V100V0.0209Ohm200A-ROHS3 Compliant含铅14 Weekse3Tin (Sn)not_compliantAEC-Q1015ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPP70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(3 Tab) TO-220 | 对比 |
| IPI50N10S3L16AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3 | 对比 |
 | STB60NF10-1 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A | 对比 |
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