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IPI77N06S3-09备选型号: IPI80N06S3L-08
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 55V 77A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON77A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2007e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡雪崩 额定55V26077A403R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET107WN-ChannelSWITCHING9.1m Ω @ 39A, 10V4V @ 55μA5335pF @ 25V103nC @ 10V51ns±20V51 ns77A20V55V308A符合RoHS标准无铅-- MOSFET N-CH 55V 80A TO-262通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AASILICON80A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2007e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99哑光锡雪崩 额定55V26080A403R-PSIP-T3不合格Single增强型MOSFET105WN-ChannelSWITCHING7.9m Ω @ 43A, 10V2.2V @ 55μA6475pF @ 25V134nC @ 10V35ns±16V25 ns80A16V55V320A符合RoHS标准无铅0.0079Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF3205LPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 110A TO-262 | 对比 |
| IPI80N06S3L-08 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 80A TO-262 | 对比 |
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