您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 IPI80N03S4L03AKSA1 vs STI55NF03L

IPI80N03S4L03AKSA1备选型号: STI55NF03L

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 底架
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    IPI80N03S4L03AKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
    14 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    NO
    3
    SILICON
    1
    2.2V @ 90μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2007
    OptiMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    超低电阻
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    Single
    增强型MOSFET
    136W
    14 ns
    N-Channel
    2.7m Ω @ 80A, 10V
    无卤素
    9750pF @ 25V
    140nC @ 10V
    9ns
    ±16V
    13 ns
    80A
    16V
    30V
    0.0027Ohm
    30V
    260 mJ
    9.45mm
    10.36mm
    4.52mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STI55NF03L
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V 55A I2PAK
    12 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    3
    SILICON
    1
    2.5V @ 250μA
    -60°C~175°C TJ
    Tube
    -
    STripFET™ II
    -
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    13m Ω @ 27.5A, 10V
    -
    1265pF @ 25V
    27nC @ 4.5V
    -
    ±16V
    -
    55A
    -
    -
    0.02Ohm
    -
    120 mJ
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    SINGLE
    STI55N
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    SWITCHING
    30V
    220A
    30V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BUK7E1R6-30E,127 BUK7E1R6-30E,127 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK 对比