STMicroelectronics STI55NF03L

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

底架

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A Tc

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

操作温度

-60°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

STI55N

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13m Ω @ 27.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1265pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±16V

连续放电电流(ID)

55A

漏极-源极导通最大电阻

0.02Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant