Infineon Technologies IPI80N03S4L03AKSA1

工厂交货时间

14 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

136W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

80A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Turn Off Delay Time

62 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 90μA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2007

系列

OptiMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

超低电阻

HTS代码

8541.29.00.95

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

136W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.7m Ω @ 80A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9750pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140nC @ 10V

上升时间

9ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

13 ns

连续放电电流(ID)

80A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0027Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

260 mJ

高度

9.45mm

长度

10.36mm

宽度

4.52mm

RoHS状态

符合RoHS标准