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首页 全部分类 IPI80N06S2L11AKSA2 vs IPI100N06S3L-03

IPI80N06S2L11AKSA2备选型号: IPI100N06S3L-03

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
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  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPI80N06S2L11AKSA2
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    11 ns
    N-Channel
    10.7m Ω @ 40A, 10V
    2V @ 93μA
    无卤素
    2075pF @ 25V
    80nC @ 10V
    32ns
    ±20V
    13 ns
    80A
    20V
    55V
    0.0147Ohm
    280 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPI100N06S3L-03
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
    -
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    哑光锡
    逻辑电平兼容
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    3m Ω @ 80A, 10V
    2.2V @ 230μA
    -
    26240pF @ 25V
    550nC @ 10V
    70ns
    ±16V
    77 ns
    100A
    16V
    -
    0.0046Ohm
    690 mJ
    -
    符合RoHS标准
    55V
    260
    100A
    40
    3
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    300W
    SWITCHING
    55V
    400A
    无铅
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IPI100N06S3L-03 IPI100N06S3L-03 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 55V 100A TO-262 对比