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IPI80P04P405AKSA1备选型号: IPI040N06N3GXKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 附加功能
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 漏源击穿电压
- 宽度
- 高度
- 长度
- 辐射硬化
Trans MOSFET P-CH 40V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-26214 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON80A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™2011e3Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET42 nsP-Channel5.2m Ω @ 80A, 10V无卤素10300pF @ 25V151nC @ 10V24ns40V±20V65 ns80A20V-40V0.0052Ohm64 mJ符合RoHS标准含铅----------
MOSFET N-CH 60V 90A18 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON90A Tc4V @ 90μA-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)----增强型MOSFET30 nsN-Channel4m Ω @ 90A, 10V无卤素11000pF @ 30V98nC @ 10V70ns-±20V5 ns90A20V60V0.004Ohm165 mJROHS3 Compliant无铅yes雪崩 额定Single188WSWITCHING60V4.52mm9.45mm10.36mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IPI040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 90A | 对比 |
 | STI150N10F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK | 对比 |
| IPI80P03P405AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET P-CH TO262-3 | 对比 |
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