Infineon Technologies IPI80P03P405AKSA1
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IPI80P03P405AKSA1
1211-IPI80P03P405AKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET P-CH TO262-3
1最小包装量--
IPI80P03P405AKSA1详情
Infineon Technologies IPI80P03P405AKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
14 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO262-3-1
Turn Off Delay Time
70 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 253μA
Power Dissipation (Max)
137W Tc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2008
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
35 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
5mOhm @ 80A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
10ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
80A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
-30V
输入电容
10.3nF
最大rds
5 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
含铅
IPI80P03P405AKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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