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IPI90N06S4L04AKSA2备选型号: IPI040N06N3GXKSA1
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- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- ECCN 代码
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- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-316 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON90A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2009e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE未说明not_compliant未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-Channel3.7m Ω @ 90A, 10V2.2V @ 90μA无卤素13000pF @ 25V170nC @ 10V±16V90A60VROHS3 Compliant------------------
MOSFET N-CH 60V 90A18 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON90A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2008e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)-----增强型MOSFET-N-Channel4m Ω @ 90A, 10V4V @ 90μA无卤素11000pF @ 30V98nC @ 10V±20V90A60VROHS3 CompliantEAR99雪崩 额定3Single188W30 nsSWITCHING70ns5 ns20V0.004Ohm60V165 mJ9.45mm10.36mm4.52mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SK4066-1E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin TO-262 Magazine | 对比 |
| IPI040N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 90A | 对比 |
| IPI029N06NAKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 24A TO262-3 | 对比 |
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