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IPL60R104C7AUMA1备选型号: STB33N60DM2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
N-Channel 600 V 104 mOhm 42 nC Surface Mount CoolMOS? Power Mosfet - VSON-418 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4SILICON20A Tc4V @ 490μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ C72008e3yes活跃2A (4 Weeks)4Tin (Sn)SINGLE无铅未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING104m Ω @ 9.7A, 10V无卤素1819pF @ 400V42nC @ 10V±20V20A600V83A97 mJnot_compliantROHS3 Compliant含铅----
STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-24A Tc5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ DM2---ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)----未说明未说明---N-Channel-130m Ω @ 12A, 10V-1870pF @ 100V43nC @ 10V±25V24A---无SVHCROHS3 Compliant-EAR99STB33N600V4V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB33N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
 | STL33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 600V 21.5A 4-Pin Power Flat EP T/R | 对比 |
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