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首页 全部分类 IPL60R104C7AUMA1 vs STL33N60M2

IPL60R104C7AUMA1备选型号: STL33N60M2

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  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • Infineon Technologies
    IPL60R104C7AUMA1
    Infineon Technologies
    N-Channel 600 V 104 mOhm 42 nC Surface Mount CoolMOS? Power Mosfet - VSON-4
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    20A Tc
    4V @ 490μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C7
    2008
    e3
    yes
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 9.7A, 10V
    无卤素
    1819pF @ 400V
    42nC @ 10V
    ±20V
    20A
    600V
    83A
    97 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL33N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 21.5A 4-Pin Power Flat EP T/R
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    22A Tc
    4V @ 250μA
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ II Plus
    -
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    135m Ω @ 10.75A, 10V
    -
    1700pF @ 100V
    47nC @ 10V
    ±25V
    21.5A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    EAR99
    STL33
    1
    Single
    2.8W
    600V
    25V
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