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IPL60R360P6SATMA1备选型号: STD16N60M2
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET N-CH 600V 8THINPAK18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN875.891673mgSILICON11.3A Tc4.5V @ 370μA-40°C~150°C TJTape & Reel (TR)CoolMOS™ P62008活跃1 (Unlimited)5DUAL无铅未说明未说明R-PDSO-N51Single增强型MOSFETDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING360m Ω @ 4.5A, 10V无卤素1010pF @ 100V22nC @ 10V7ns±20V7 ns11.3A30V600V0.36Ohm30A247 mJROHS3 Compliant含铅------
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633--12A Tc4V @ 250μA150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ M2-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)1 (Unlimited)---未说明未说明--Single--10.5 nsN-Channel-320m Ω @ 6A, 10V-700pF @ 100V19nC @ 10V-±25V-12A25V----ROHS3 Compliant-EAR99STD16600V2.4mm6.6mm6.2mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCD9N60NTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK | 对比 |
 | STB18N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2 | 对比 |
 | STB18N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | STMICROELECTRONICS STB18N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 12 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
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