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首页 全部分类 IPL60R650P6SATMA1 vs STD10NM60ND

IPL60R650P6SATMA1备选型号: STD10NM60ND

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  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
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  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPL60R650P6SATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    SILICON
    6.7A Tc
    4.5V @ 200μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ P6
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 2.4A, 10V
    无卤素
    557pF @ 100V
    12nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    14 ns
    6.7A
    30V
    600V
    0.65Ohm
    600V
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD10NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    SILICON
    8A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    FDmesh™ II
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    -
    9.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 4A, 10V
    -
    577pF @ 50V
    20nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    9.8 ns
    8A
    25V
    -
    -
    650V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    EAR99
    600mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    STD10
    70W
    600V
    4V
    8A
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
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