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首页 全部分类 IPL65R099C7AUMA1 vs STL34N65M5

IPL65R099C7AUMA1备选型号: STL34N65M5

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  • 终端形式
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPL65R099C7AUMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 4VSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    4-PowerTSFN
    4
    SILICON
    89 ns
    4V @ 590μA
    CoolMOS™ C7
    2013
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    2A (4 Weeks)
    4
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    无铅
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 5.9A, 10V
    无卤素
    2140pF @ 400V
    45nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    12 ns
    21A
    20V
    650V
    0.099Ohm
    100A
    118 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STL34N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -
    22.5A Tc
    5V @ 250μA
    MDmesh™ V
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    3 (168 Hours)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    120m Ω @ 12A, 10V
    -
    2700pF @ 100V
    62.5nC @ 10V
    8.7ns
    ±25V
    7.5 ns
    22.5A
    25V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    STL34
    1
    Single
    2.8W
    650V
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