Infineon Technologies IPL65R099C7AUMA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-PowerTSFN

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

89 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 590μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

128W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

系列

CoolMOS™ C7

已出版

2013

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

2A (4 Weeks)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

99m Ω @ 5.9A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2140pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

45nC @ 10V

上升时间

5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

21A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

漏极-源极导通最大电阻

0.099Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100A

雪崩能量等级（Eas）

118 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

含铅