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首页 全部分类 IPL65R1K5C6SATMA1 vs IPL60R1K5C6SATMA1

IPL65R1K5C6SATMA1备选型号: IPL60R1K5C6SATMA1

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  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • Infineon Technologies
    IPL65R1K5C6SATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 3A 8-Pin Thin-PAK EP T/R
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    SILICON
    3A Tc
    3.5V @ 100μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    Tin (Sn)
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    7.7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1A, 10V
    无卤素
    225pF @ 100V
    11nC @ 10V
    5.9ns
    ±20V
    18.2 ns
    3A
    30V
    650V
    650V
    26 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPL60R1K5C6SATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 8TSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    SILICON
    3A Tc
    3.5V @ 90μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    -
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 1.1A, 10V
    无卤素
    200pF @ 100V
    9.4nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    20 ns
    3A
    30V
    600V
    -
    26 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    yes
    EAR99
    7.7A
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