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首页 全部分类 IPL65R650C6SATMA1 vs IPL60R650P6SATMA1

IPL65R650C6SATMA1备选型号: IPL60R650P6SATMA1

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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPL65R650C6SATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 650V 6.7A ThinPAK 5x6
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    SILICON
    6.7A Tc
    3.5V @ 210μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 2.1A, 10V
    无卤素
    440pF @ 100V
    21nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    13 ns
    6.7A
    30V
    650V
    0.65Ohm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
  • Infineon Technologies
    IPL60R650P6SATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 8THINPAK
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    75.891673mg
    SILICON
    6.7A Tc
    4.5V @ 200μA
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ P6
    2008
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    DUAL
    无铅
    未说明
    未说明
    R-PDSO-N5
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 2.4A, 10V
    无卤素
    557pF @ 100V
    12nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    14 ns
    6.7A
    30V
    600V
    0.65Ohm
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    600V
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