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IPN65R1K5CEATMA1备选型号: IPN50R950CEATMA1

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Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
已出版
系列
包装
操作温度
JESD-609代码
无铅代码
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
ECCN 代码
端子表面处理
场效应管类型
Rds On(Max)@Id,Vgs
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
漏源电压 (Vdss)
Vgs（最大值）
连续放电电流(ID)
阈值电压
RoHS状态
达到SVHC

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

CONSUMER

18 Weeks
TO-261-3
表面贴装
3
3.5V @ 100μA
5W Tc
2013
CoolMOS™ CE
Tape & Reel (TR)
-40°C~150°C TJ
e3
yes
活跃
3 (168 Hours)
EAR99
Tin (Sn)
N-Channel
1.5 Ω @ 1A, 10V
225pF @ 100V
10.5nC @ 10V
650V
±20V
5.2A
3V
ROHS3 Compliant
not_compliant
IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

INFINEON IPN50R950CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 6.6 A, 500 V, 0.86 ohm, 13 V, 3 VNew

18 Weeks
TO-261-3
表面贴装
3
3.5V @ 100μA
5W Tc
2013
CoolMOS™ CE
Tape & Reel (TR)
-40°C~150°C TJ
e3
yes
活跃
1 (Unlimited)
EAR99
Tin (Sn)
N-Channel
950m Ω @ 1.2A, 13V
231pF @ 100V
10.5nC @ 10V
500V
±20V
6.6A
3V
ROHS3 Compliant
无SVHC
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