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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.107086
10
¥1.987817
100
¥1.875299
500
¥1.76915
1000
¥1.66901
Infineon Technologies IPN60R1K5CEATMA1
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- 对比
IPN60R1K5CEATMA1
1211-IPN60R1K5CEATMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-223-3
大陆
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INFINEON IPN60R1K5CEATMA1 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 600 V, 1.35 ohm, 10 V, 3 VNew
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPN60R1K5CEATMA1详情
Infineon Technologies IPN60R1K5CEATMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-223-3
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
5W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
3.5V @ 90μA
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
CoolMOS™ CE
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5 Ω @ 1.1A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
200pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
5A
阈值电压
3V
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPN60R1K5CEATMA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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