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首页 全部分类 IPP04CN10NGXKSA1 vs STP80NF10

IPP04CN10NGXKSA1备选型号: STP80NF10

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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
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  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 长度
  • 宽度
  • 高度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP04CN10NGXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET MV POWER MOS
    通孔
    TO-220
    3
    1
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    300W
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    34 ns
    SWITCHING
    无卤素
    78ns
    100V
    N-CHANNEL
    25 ns
    100A
    3V
    20V
    100V
    100V
    400A
    13.8nF
    1000 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    3.9mOhm
    4.2 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP80NF10
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    TO-220-3
    3
    116 ns
    -
    e3
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    300W
    26 ns
    SWITCHING
    -
    80ns
    -
    -
    60 ns
    80A
    3V
    20V
    -
    100V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    通孔
    453.59237kg
    SILICON
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ II
    15mOhm
    100V
    80A
    STP80N
    N-Channel
    15m Ω @ 40A, 10V
    5500pF @ 25V
    182nC @ 10V
    ±20V
    TO-220AB
    10.4mm
    4.6mm
    9.15mm
    无
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