Infineon Technologies IPP05CN10NGXKSA1

工厂交货时间

13 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

300W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

OptiMOS™

已出版

2008

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

100V

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

100A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

300W

接通延迟时间

28 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

12000pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

181nC @ 10V

上升时间

42ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

21 ns

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.0054Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

826 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅