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首页 全部分类 IPP05CN10NGXKSA1 vs STP165N10F4

IPP05CN10NGXKSA1备选型号: STP165N10F4

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电阻
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    IPP05CN10NGXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2008
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    100V
    SINGLE
    未说明
    100A
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.4m Ω @ 100A, 10V
    4V @ 250μA
    无卤素
    12000pF @ 50V
    181nC @ 10V
    42ns
    ±20V
    21 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    100V
    0.0054Ohm
    400A
    826 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP165N10F4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    增强型MOSFET
    315W
    29.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    10500pF @ 25V
    180nC @ 10V
    62ns
    ±20V
    106 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    480A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    5.5MOhm
    STP165
    R-PSFM-T3
    Single
    100V
    无
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