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首页 全部分类 IPP065N03LGXKSA1 vs IPP09N03LA

IPP065N03LGXKSA1备选型号: IPP09N03LA

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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • Infineon Technologies
    IPP065N03LGXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2400pF @ 15V
    23nC @ 10V
    4.2ns
    30V
    ±20V
    3.4 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    0.0095Ohm
    60 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP09N03LA
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2003
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    逻辑电平兼容
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.2m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 20μA
    1642pF @ 15V
    13nC @ 5V
    88.5ns
    -
    ±20V
    4.2 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    0.0155Ohm
    75 mJ
    -
    Non-RoHS Compliant
    e3
    哑光锡
    25V
    未说明
    50A
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    63W
    65A
    25V
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