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首页 全部分类 IPP065N03LGXKSA1 vs NTP75N03RG

IPP065N03LGXKSA1备选型号: NTP75N03RG

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    IPP065N03LGXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    50A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2007
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    SINGLE
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    5.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.5m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2400pF @ 15V
    23nC @ 10V
    4.2ns
    30V
    ±20V
    3.4 ns
    50A
    TO-220AB
    20V
    0.0095Ohm
    60 mJ
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTP75N03RG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    9.7A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    2006
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1333pF @ 20V
    13.2nC @ 5V
    1.3ns
    -
    ±20V
    -
    9.7A
    TO-220AB
    20V
    -
    71.7 mJ
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    e3
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    25V
    260
    75A
    40
    不合格
    Single
    74.4W
    DRAIN
    25V
    225A
    无铅
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