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IPP06N03LA备选型号: IRL8114PBF
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 漏源电压 (Vdss)
- 无铅
MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB通孔通孔TO-220-33SILICON50A Tc-55°C~175°C TJTubeOptiMOS™2003Obsolete1 (Unlimited)3EAR99逻辑电平兼容25V50ASingle增强型MOSFET83WN-ChannelSWITCHING6.2m Ω @ 30A, 10V2V @ 40μA2653pF @ 15V22nC @ 5V30ns±20V4.4 ns50ATO-220AB20V0.0099Ohm25V225 mJ符合RoHS标准-----
MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB通孔通孔TO-220-3--90A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®2015不用于新设计1 (Unlimited)-EAR99------N-Channel-4.5m Ω @ 40A, 10V2.25V @ 250μA2660pF @ 15V29nC @ 4.5V-±20V-90A-----ROHS3 Compliant16 Weeks未说明未说明30V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTP75N03RG | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 25V 9.7A TO220AB | 对比 |
| IRL8114PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB | 对比 |
| IPP09N03LA | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB | 对比 |
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