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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥8.339878
10
¥7.867811
100
¥7.422463
500
¥7.002322
1000
¥6.605962
Infineon Technologies IRL8114PBF
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- 对比
IRL8114PBF
1211-IRL8114PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRL8114PBF详情
Infineon Technologies IRL8114PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
115W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2015
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.25V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2660pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
29nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
90A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRL8114PBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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Infineon Technologies
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