IPP075N15N3GHKSA1备选型号: FDP075N15A-F102

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 供应商器件包装
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    PG-TO220-3
    100A Tc
    4V @ 270μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    175°C
    -55°C
    300W
    25 ns
    N-Channel
    7.5mOhm @ 100A, 10V
    5470pF @ 75V
    93nC @ 10V
    35ns
    150V
    ±20V
    14 ns
    100A
    20V
    150V
    5.47nF
    7.2mOhm
    7.5 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 150V 130A TO-220-3
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    -
    130A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    -
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    333W
    28 ns
    N-Channel
    7.5m Ω @ 100A, 10V
    7350pF @ 75V
    100nC @ 10V
    37ns
    -
    ±20V
    21 ns
    130A
    20V
    150V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    1.8g
    SILICON
    yes
    3
    6.25MOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    1
    Single
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    TO-220AB
    522A
    588 mJ
    175°C
    19.85mm
    10.36mm
    4.672mm
    无铅
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