Infineon Technologies IPP075N15N3GHKSA1
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IPP075N15N3GHKSA1
1211-IPP075N15N3GHKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
1最小包装量--
IPP075N15N3GHKSA1详情
Infineon Technologies IPP075N15N3GHKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
8V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
46 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 270μA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
OptiMOS™
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
300W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.5mOhm @ 100A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5470pF @ 75V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
93nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
14 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
150V
输入电容
5.47nF
漏源电阻
7.2mOhm
最大rds
7.5 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IPP075N15N3GHKSA1拓展信息
Infineon Technologies
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